中国存储芯片市场遭遇重创,进口依赖度高达90%,国产芯片市场份额仅有4%。这一局面不仅暴露了中国在关键技术领域的短板,也反映出整个产业链存在的深层问题。国内企业虽然取得了一些技术突破,但仍面临着严峻的产能瓶颈,亟需全方位的突破和支持。以长江存储为例,这家公司自2016年成立以来,投入了大量资金进行技术研发。他们继承了武汉新芯的技术经验,再加上政策和资金的大力支持,技术水平得到了快速提升。2017年,长江存储实现了32层NAND Flash的量产,工艺水平跻身全球前五。到了2019年,他们又实现了64层NAND Flash的量产,进入全球前四。2020年,128层NAND Flash实现商用化,超越了美光,一跃成为全球前三。更令人振奋的是,2022年8月,长江存储全球首发232层3D NAND结构,一度领先三星、SK海力士,成为全球领先者。
另一家存储芯片企业长鑫存储也取得了不俗的成绩。这家公司成立之初就拥有大量DRAM技术文件及数据,并投入大量资金进行技术创新。2019年9月,长鑫存储基于19nm工艺的8Gb DDR4芯片实现量产,进入国际主流行列。2020年4月,他们又与美国半导体公司蓝铂世签署专利许可协议,获得大量DRAM技术专利,为其国际市场拓展提供了知识产权保障。到了2021年,长鑫存储的DRAM产能每月达到6万片,市场份额终于突破了零的桎梏,达到1%。2022年,他们的产能更是跃升至每月12万片,在全球市场份额中占比达到2.6%。
尽管取得了这些技术突破,国内存储芯片企业仍然面临着严峻的产能瓶颈。2023年,美国、日本、荷兰等国相继出台了半导体设备出口限制政策,导致国内芯片企业在获取光刻机、刻蚀机等关键设备时受到了严重制约。
没设备,产能跟不上?
|